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當前位置：首頁 » 進口晶振

: EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面聲波振蕩器

頻率：100~200MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

: EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

頻率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

石英晶體振蕩器在設計時就與各款型號IC匹配等相關技術，使用IC與晶片設計匹配技術：是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

: EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-1000CA/CB晶振

頻率：50~170MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,可編程有源晶體,SG-8506CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG-9001LB晶振

頻率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-8101系列晶振

頻率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,可編程石英晶體振蕩器,SG-8003晶振

頻率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶體振蕩器,SG-8002CE晶振

頻率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片振蕩器,SG5032CAN晶振

頻率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

頻率：2.375~60MH...
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,“SG-211SEE 26.0000MT3”產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,進口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

頻率：1~75MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,“SG-210STF 24.0000ML0”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: EPSON晶振,2520貼片晶振,SG-210SEH晶振

頻率：80~170MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

頻率：50~80MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

: EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，“SG-210SEB 26.0000MF3”,在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

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