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EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

頻率：50~80MHZ

尺寸：2.5×2.0mm

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

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EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振。日本精工愛(ài)普生晶振接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】愛(ài)普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開(kāi)始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專(zhuān)業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶。

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項(xiàng)目	符號(hào)	SG-210SED晶振規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	50MHz to 80 MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5 V to 3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://m.cnlifecy.cn/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	60 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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SG-210SED SDD SCD 2520 COMS

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抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑. （比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

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愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動(dòng),把降低環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客。

創(chuàng)造并提供專(zhuān)研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng)。

愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開(kāi)環(huán)保活動(dòng)來(lái)預(yù)防污染。

在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動(dòng)的水平。

愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng)，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。

將環(huán)保活動(dòng)的信息向公司內(nèi)外公開(kāi)，積極努力的與地區(qū)社會(huì)及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系，為社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

通過(guò)此方針的公文化，在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí)，也向公司外部公開(kāi)。

愛(ài)普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo)，并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量。

愛(ài)普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù)，將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振

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