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高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
晶體內(nèi)部石英晶片均采用了全自動(dòng)壓電石英晶片清洗技術(shù)，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動(dòng)的原理，一個(gè)全自動(dòng)、清洗過(guò)程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等， 操作自動(dòng)化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。根據(jù)需要，對(duì)速度，溫度，時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶體內(nèi)部石英晶片均采用了全自動(dòng)壓電石英晶片清洗技術(shù)，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動(dòng)的原理，一個(gè)全自動(dòng)、清洗過(guò)程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等， 操作自動(dòng)化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。根據(jù)需要，對(duì)速度，溫度，時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶體內(nèi)部石英晶片均采用了全自動(dòng)壓電石英晶片清洗技術(shù)，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動(dòng)的原理，一個(gè)全自動(dòng)、清洗過(guò)程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等， 操作自動(dòng)化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。根據(jù)需要，對(duì)速度，溫度，時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來(lái)自動(dòng)調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用
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