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歡迎光臨深圳市火運(yùn)電子有限公司!
頻率：15.476~1300MHz
尺寸：5.0×7.0mm
VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用
IDT晶振,8N4Q001晶振,進(jìn)口有源晶振,IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售場所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款有源晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍.
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項(xiàng)目 |
符號 |
8N4Q001晶振規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
15.476MHz to 1300MHz |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.cnlifecy.cn/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
晶振使用注意事項(xiàng)
操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英貼片晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時(shí)間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致壓電石英晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）IDT晶振,8N4Q001晶振,進(jìn)口有源晶振
IDT 晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念：
IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振
采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.
集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,7050晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。IDT晶振,8N4Q001晶振,進(jìn)口有源晶振
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