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ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I534晶振

頻率：8-40.0MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

溫補(bǔ)晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I534晶振，5032mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
有源晶振頻率越高一般價(jià)格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會(huì)選用頻率低但穩(wěn)定的晶振，自己做倍頻電路?？傊⒕д袷歉鶕?jù)需要去選擇合適的頻率，并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩(wěn)定性，屬于32.768K晶振高端晶振。至于范圍，晶振的頻率做的太高的話，就會(huì)失去意義，因?yàn)橛衅渌玫木д耦l率產(chǎn)品代替。產(chǎn)品頻率范圍是：25kHz-1.3G，基本上所有應(yīng)用中的晶振都可以在產(chǎn)品中找到。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8-40.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.cnlifecy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

低消耗晶振,有源晶振,I534晶振

如果石英晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的晶振。低消耗晶振,有源晶振,I534晶振

使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加貼片晶振鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動(dòng)后端電路。低消耗晶振,有源晶振,I534晶振

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運(yùn)行，因?yàn)?b>石英晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I534晶振

ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低高氣密性封裝貼片晶振對(duì)環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
ILSI晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)?；顒?dòng)來預(yù)防污染。在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動(dòng)的水平。

ILSI晶振通過與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng)，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.低消耗晶振,有源晶振,I534晶振

勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保壓控石英晶體振蕩器工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I534晶振