在眾多的頻率元件制造商中,來自美國的Pletronics晶振公司創建于1979年,主要研發生產晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經驗.所生產的產品使用范圍廣包括亞洲,歐洲和北美的制造業.Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產品設計創新,價格競爭有優勢,訂貨交期時間短在業界具有較好的聲譽.
不時要求我們推薦電源去耦和布局的解決方案.本應用筆記將通過提供提供良好結果的解決方案和關于可能產生不良結果的解決方案的警告來解決這些問題.
Pletronics晶振的設計和測試符合最高質量和性能標準.隨著電源電壓和溫度的變化,我們的振蕩器將滿足其規格.然而,振蕩器電源輸入端的噪聲會降低抖動和相位噪聲性能.為了獲得最佳性能,最好在振蕩器之前將高頻元件從電源上去耦.
電源旁路設計從低阻抗電源和接地連接開始.這最好由包含內部電源和接地層的多層印刷電路板來提供.包括大容量電源旁路電容,以減少電源紋波并提高電源浪涌能力.目標應用板上的任何地方都可能存在大容量旁路電容.
與體旁路電容不同,振蕩器的高頻旁路電容盡可能靠近振蕩器放置.圖1顯示了Pletronics振蕩器的典型旁路配置.圖1所示的電容值可用于所有產品系列.
關于電容器,需要補充一些意見.環境影響評價將電容器分為四類.第一類是最穩定的,包括零溫度系數NPO電容,用于分立晶體應用中的負載電容.第四類雖有規定,但不常見.二級和三級是最常用的.對于振蕩器旁路應用,Pletronics建議至少使用X5R電容.該類電容額定溫度范圍為-55℃至+80℃,在該溫度范圍內具有出色的漂移特性,出色的高頻特性和良好的體積效率.表1總結了常見的EIA二類和三類電容器的特性
除了圖1所示的旁路電容網絡,一些設計人員還在振蕩器和電源之間插入串聯阻抗,以創建低通濾波器,從而進一步隔離振蕩器.這個簡單濾波器的截止頻率由下式給出
增加的阻抗,無論是電阻性的還是電感性的,都可以與正常的容性旁路網絡串聯,或者置于兩個旁路電容之間.這些連接如圖2所示.
每當電阻器與電源串聯時,都必須小心.與電源串聯的電阻值非常小,足以將VCC降至振蕩器的VCCmin以下.數據手冊中規定了Pletronics振蕩器的最大電流值,范圍從我們的一些32.768K千赫實時時鐘振蕩器的5uA到更高頻率LVPECL振蕩器的90mA.表2提供了ICC,VCC和電源容差組合的最大電阻值
在電源和振蕩器之間插入串聯鐵氧體磁珠也是可以接受的.設計者應選擇低品質,非諧振鐵氧體磁珠(也稱為損耗磁珠或吸收磁珠).高品質鐵氧體磁珠或電感可以利用旁路和寄生電容產生諧振回路.為該應用選擇鐵氧體磁珠時,必須考慮磁珠的DC電阻.DC電阻為1歐姆或更大并不少見.
引線長度和印刷電路板布局是實現最佳性能的重要考慮因素.圖3顯示了緊密間隔,接地層的使用和并聯電容去耦.
Pletronics公司歷史
Pletronics投資石英晶體技術,為需要頻率控制設備的用戶提供最新的大批量產品.Pletronics已成立合資企業和子公司,以提供最高頻率,最高質量的零件.
2016年-開發OGMTCXO
2015年-開發了OeM8/OeS8改進的TCVCXO振蕩器
2014年-開發超低噪聲PECL/LVDS/HCSL振蕩器
2013年-開發GypSync™TCXO模塊
2011年-開發出LC振蕩器技術振蕩器
2010年-推出低功耗OeXO系列產品,TCVCXO替代許多OCXO應用擴展TCVCXO的生產和測試能力
2009年-推出用于FemtoCell和PicoCell頻率控制的超精密TCXO,+/-0.1ppmTCVCXO.
2008年-在日本開設的合資企業運營增加了高頻CMOS,LVDS和PECL產品的電容器.與AXTALGmbH＆Co.KG建立合作關系,以支持他們在美洲的OCXO,Langasite和Langatate坯料和晶圓.推出高穩定性CMOSTCXO.
2007年-開始開發低成本OCXO晶振,特別是FemtoCell和PicoCell頻率控制解決方案開始為醫療領域開發專門構建的振蕩器和VCXO.
2006年-推出LV9/PE9/VPU7/VLU7LVDS和PECL時鐘振蕩器以及VCXO.首批1GHzPECL5x7mm振蕩器出貨.
2006年-將完成開發用于高頻PECL和LVDS時鐘振蕩器和VCXO的新ASIC.
2005年-高頻率和低抖動
使用電子技術提供高頻率的第一個高頻（106.25MHz和212.5MHz）低抖動和低成本LVDS和PECL振蕩器已批量出貨.Pletronics為這兩項代工廠提供了支持我們客戶需求的技術.重組了公司的代表,以提供額外的客戶設計和應用支持
2004年-與大韓民國的鑄造廠建立合資企業
當使用電子倍增方案的高頻解決方案在經濟上可行時,HFF產品開發已經結束
2003年-在新加坡和香港開設國際支持中心
2002年-由BSI注冊為ISO9001：2000
2001年-開始開發“倒置臺面”高頻基波(HFF)晶體產品
目標是能夠制造300MHz以上的基本模式AT切割晶體.開始制造PECL和LVDS振蕩器
2000年-Namhan工廠出售
當Pletronics的產品組合發生變化時,鑄造廠被出售,升級設施是不切實際的.此外,當韓國提高勞動力率時,需要增加自動化.用于制造微型陶瓷器件的"在線"自動化制造模型意味著獨立的合同設施更能滿足Pletronics的需求.
1998年-Bekly公司關閉并整合到Pletronics.
當塑料J鉛包不再滿足客戶需求時,該設施終止.封裝太高,長引線不能滿足不斷增加的帶寬要求.
1997年-與AvanceInc.和SaronixInc.的合資企業被終止.
“tabmesa”晶體的生產成本不符合Pletronics的產品需求.
1996年-由BSI注冊為ISO9001-1994
1995年-被華盛頓州認證為少數股權企業.
1989年-與AvanceInc和SaronixInc.
成立合資公司.該合資公司的目的是開發一種可以批量生產的高頻石英晶振.這項合作促成了“tabmesa”高頻基礎晶體的發展.
1988年-BeklyCorporation成為Pletronics的全資子公司.
位于太平洋西北地區的半自動化設施,用于制造小型腳印振蕩器,專門用于塑料模塑零件
1983年-在大韓民國開設了一家獨資鑄造廠(Namhan)
建立了生產高端振蕩器的工廠.主要是一個DIP包裝工廠
1979年-Pletronics在美國華盛頓州注冊成立
