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[技術(shù)支持]艾博康32.768KHZ振蕩器的優(yōu)勢(shì)所在于?ASTMKH-32.768KHZ-LQ-DCC-T2023年06月14日 18:09

艾博康32.768KHZ振蕩器的優(yōu)勢(shì)所在于?ASTMKH-32.768KHZ-LQ-DCC-T，70年代石英表的繁榮表明:當(dāng)談到精確的時(shí)間記錄時(shí)，沒有什么比石英晶振更好了！這在今天沒有什么不同。帶的頻率控制產(chǎn)品特征頻率為32.768千赫幾乎可以在所有集成時(shí)間測(cè)量的應(yīng)用中找到，例如筆記本電腦、手機(jī)或微波爐。

在其ASTMKH系列，艾博康提供各種尺寸的SMD音叉晶體，用于連接微控制器或RTC元件。然而，設(shè)計(jì)電路需要精確性，以確保元件的可靠功能。例如，必須特別注意確保負(fù)載電容正確匹配。

閱讀（640）標(biāo)簽：有源振蕩器

[行業(yè)資訊]RVX2520R壓控晶體振蕩器支持低相位噪聲和低RMS抖動(dòng)性能2022年05月24日 17:35

Rakon的壓控晶體振蕩器(VCXO)和壓控SAW振蕩器(VCSO)在廣泛的頻率范圍內(nèi)提供行業(yè)領(lǐng)先的低相位噪聲解決方案。高可靠性系列經(jīng)認(rèn)證符合MIL標(biāo)準(zhǔn)，專為太空、國(guó)防、航空電子設(shè)備和儀器儀表而設(shè)計(jì)。該性能范圍具有低抖動(dòng)和低相位噪聲產(chǎn)品，是定位和電信市場(chǎng)應(yīng)用的理想選擇。

RVX2520R壓控晶體振蕩器支持低相位噪聲和低RMS抖動(dòng)性能，RVX2520R VCXO集高頻、低均方根相位抖動(dòng)(典型值1.0ps，12kHz至20MHz)和嚴(yán)格的頻率穩(wěn)定性于一體2.5x2.0毫米SMD封裝。提供從MHz到1500MHz的數(shù)百種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)頻率，并且交付周期短。

閱讀（79）標(biāo)簽：壓控晶體振蕩器

[行業(yè)資訊]ROD2522S2具有24小時(shí)保持性能2522封裝的OCXO,恒溫晶體振蕩器2022年05月21日 11:52: Rakon宣布發(fā)布ROD2522S2—世界上最小的24小時(shí)保持PPS紀(jì)律OCXO。25x22x12mm表面貼裝器件是第一個(gè)0.5ppb pk-pk級(jí)PPS紀(jì)律OCXO，恒溫晶體振蕩器，可實(shí)現(xiàn)24小時(shí)保持（1.5 µs，5℃溫度窗口）。標(biāo)稱頻率在10到20MHz之間可用。ROD2522S2提供-40℃至95℃的擴(kuò)展溫度范圍，并實(shí)現(xiàn)低于0.2 ppb/天的頻率老化，最大補(bǔ)償老化為0.02 ppb/天，該產(chǎn)品在此性能水平上顯著減小了封裝尺寸并降低了功耗。憑借先進(jìn)的電路和經(jīng)過仿真優(yōu)化的熱機(jī)械結(jié)構(gòu)，這些集成解決方案使PPS Disciplined OCXO能夠在小型封裝中運(yùn)行智能補(bǔ)償。ROD2522S2具有24小時(shí)保持性能，支持電信主時(shí)鐘設(shè)計(jì); 閱讀（133）標(biāo)簽：恒溫晶振

[行業(yè)資訊]超小型低功耗32.768kHz的SiT1552系列MEMS溫度補(bǔ)償振蕩器,SiT1552AI-JE-DCC-32.768Q2022年05月17日 13:55: SiT1552是一款超小型超低功耗32.768kHz TCXO，針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。SiTime的硅MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了世界上最小尺寸和芯片級(jí)封裝(CSP)的第一個(gè)32 kHz TCXO。典型的內(nèi)核電源電流僅為1 A，SiTime的MEMS振蕩器由MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路組成。我們的MEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMS First工藝制造。一個(gè)關(guān)鍵的制造步驟是EpiSeal，在此期間，MEMS諧振器在1000°c以上的溫度下退火。EpiSeal產(chǎn)生了一個(gè)非常堅(jiān)固、干凈的真空室，用于封裝MEMS諧振器，并確保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期間，在諧振器腔的頂部生長(zhǎng)多晶硅帽，這消除了對(duì)額外的帽晶片或其他外來(lái)封裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器芯片可以像任何其他半導(dǎo)體芯片一樣使用。SiTime的MEMS優(yōu)先和EpiSeal制造工藝的一個(gè)獨(dú)特成果是能夠?qū)iTime的MEMS芯片與SOC、ASIC、微處理器或模擬芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，以消除外部時(shí)序元件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。; 閱讀（164）標(biāo)簽：低功耗晶振|32.768KHz晶振

[行業(yè)資訊]SiT1630是一款針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的超低功耗振蕩器,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S2022年05月17日 11:59: SiT1630是一款超小型超低功耗32.768kHz振蕩器，針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。SiTime的MEMS振蕩器由MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路組成。我們的MEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMS First工藝制造。一個(gè)關(guān)鍵的制造步驟是EpiSeal，在此過程中，MEMS諧振器在1000°c以上的溫度下退火。EpiSeal創(chuàng)建了一個(gè)非常堅(jiān)固、干凈的真空室，用于封裝MEMS諧振器，并確保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期間，在諧振器腔的頂部生長(zhǎng)多晶硅帽，這消除了對(duì)額外的帽晶片或其他外來(lái)封裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器芯片可以像任何其他半導(dǎo)體芯片一樣使用。SiTime的MEMS優(yōu)先和EpiSeal制造工藝的一個(gè)獨(dú)特成果是能夠?qū)iTime的MEMS芯片與SOC、ASIC、微處理器或模擬芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，以消除外部時(shí)序元件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。; 閱讀（125）標(biāo)簽：超小型晶振

[技術(shù)支持]臺(tái)灣泰藝XXGEGLNANF-25.000000晶振編碼2018年11月22日 11:04

X2GGGLNANF-12.000000晶振X3AEELNANF-40.000000臺(tái)灣泰藝晶振X3AEEJNANF-38.400000泰藝晶體諧振器XZDCELNANF-27.120000石英晶體XIHEELAANF-16.000000泰藝晶振XZABPCNANF-40.000000泰藝晶體諧振器XXDCCCNANF-12.000000晶振TXETACSANF-26.000000泰藝晶振OCETGLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELAANF-12.000000泰藝晶振XYHEECNANF-30.000000臺(tái)灣泰藝晶振X3AEELNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-10.000000臺(tái)灣OSC晶振TYKTBLSANF-19.200000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-8.000000泰藝晶振XXGEGLNANF-25.000000貼片晶振TYETCCSANF-50.000000有源晶振OYETGHJANF-66.667000泰藝晶振XJDECCAANF-4.194304泰藝晶振XSHGGLNANF-12.000000貼片晶振XSCEECNANF-8.000000石英晶振XYLEEJNANF-27.120000無(wú)源晶體X3AEELNANF-27.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-133.000000有源晶振X2HCCCNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-16.000000石英晶振XSCEGCNANF-10.000000臺(tái)灣泰藝晶振XYABBCNANF-24.576000泰藝晶體諧振器X3AEELNANF-27.120000晶振XXDGHHPANF-20.000000臺(tái)灣泰藝晶振VTEUMLJANF-25.000000臺(tái)灣OSC晶振OYEUDCJANF-49.152000石英晶體振蕩器XXCBELNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-24.000000臺(tái)灣泰藝晶振XSCGGCNANF-24.576000無(wú)源晶體OXETDLJANF-50.000000有源晶振OXJTGLKTNF-125.000000泰藝晶振XIHEELAANF-4.000000泰藝晶振XXCGGINANF-18.432000無(wú)源晶體TYETACSANF-16.367667石英晶振OYEUDCJANF-45.158400臺(tái)灣OSC晶振XIHEELAANF-11.059200泰藝晶振XZABBCNANF-26.000000無(wú)源晶體XSDEECNANF-25.000000泰藝晶體諧振器XYAEECNANF-27.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振X3AEELNANF-38.400000石英晶振XXGGGINANF-25.000000石英晶振TYETBCSANF-20.000000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-25.000000泰藝晶振

XZAPPCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXBBBCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器TYKTACSANF-26.000000貼片晶振OXETGCJTNF-125.000000石英晶振XSDEELNANF-12.000000進(jìn)口貼片晶振XXHCCLNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-20.000000泰藝晶振OXETDLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELNANF-13.560000臺(tái)灣TAITIEN晶振XXCCCCNANF-12.000000貼片晶振X3AEELNANF-48.000000無(wú)源晶體XZBBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XSDEELNANF-25.000000晶振XXCGGLNANF-12.000000石英晶振XYIGGLNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XXGPPLNANF-20.000000晶振OXETGLJANF-50.000000石英晶體振蕩器OTETGCLTNF-156.250000有源晶振XIHEELAANF-7.372800泰藝晶振XZBBCCNANF-26.000000晶振XSDEGCNANF-16.000000貼片晶振XXGDDCNANF-25.000000臺(tái)灣泰藝晶振XYCBBCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXEBCLNANF-40.000000貼片晶振XZBCCCNANF-16.000000貼片晶振XSFGGLNANF-20.000000石英晶振XXGEHHNANF-24.000000無(wú)源晶體XYCBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振X3AEEJNANF-27.000000石英晶振OYETGCJANF-24.000000石英晶振TYKACCSANF-26.000000臺(tái)灣OSC晶振OXKTGLJANF-19.200000有源晶振XZCBBCNANF-16.000000石英晶振XSGEECNANF-16.000000臺(tái)灣泰藝晶振XXHEELNANF-12.000000泰藝石英晶體諧振器XYCCCCNANF-19.200000晶振XYAEECNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振X3AEELNANF-30.000000貼片晶振X3AEEJNANF-27.120000臺(tái)灣泰藝晶振OYETGCJANF-25.000000貼片晶振TYKACCSANF-40.000000石英晶振OCETDLJANF-25.000000石英晶體振蕩器XZCBBCNANF-32.000000臺(tái)灣泰藝晶振XSGEELNANF-25.000000無(wú)源晶體XXPEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XYCEECNANF-27.120000貼片晶振X3AEEJNANF-30.000000無(wú)源晶體OYETGCJANF-27.000000晶振TXEAACSANF-40.000000貼片晶振OCETGLJTNF-125.000000臺(tái)灣OSC晶振XZCEECNANF-27.120000無(wú)源晶體XSGEGLNANF-13.000000泰藝晶體諧振器XZGEECNANF-24.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XYCEECNANF-32.000000石英晶振XZCEECAANF-27.120000石英晶體XZLEFLNANF-30.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XXBBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-106.250000石英晶振XZDBPCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XSHEECNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振XZHBBCNANF-32.000000晶振XZDCELNANF-30.000000石英晶體XXHCECAANF-26.690000石英晶體XZIEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XSHEELNANF-25.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XSHGGLNANF-11.059200晶振XZLCCCNANF-30.000000貼片晶振

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