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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!
頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振,石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
5032mm體積的石英晶體振蕩器,晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
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型號 |
TG5032CAN晶振 |
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輸出頻率范圍 |
10~40MHZ |
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電源電壓范圍 |
2.7~5.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+3.3V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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愛普生TCXO有源振蕩器型號列表:
愛普生TCXO有源振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
38.400000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG5032CAN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
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|
Frequency | LxWxH |
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F.Tol@25°C |
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Freq/Temp | I [Max] |
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25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210003 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210004 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210005 | TG2016SAN | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210007 | TG2016SAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310086 | TG5032CAN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310088 | TG5032CAN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310093 | TG5032CAN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310097 | TG5032CAN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310101 | TG5032CAN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310102 | TG5032CAN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm |
晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了TCXO晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
機(jī)械振動的影響:當(dāng)貼片石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
溫補(bǔ)振蕩器產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高全員環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少OSC晶體振蕩器生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
愛普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計,優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省TCXO晶體振蕩器資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司,貼片晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).
愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)汽車電子晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
深圳市龍湖電子有限公司
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