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Suntsu晶振,進(jìn)口壓控振蕩器,STC32C溫補(bǔ)晶振

頻率：6.000MHz~40.000MHz

尺寸：3.2*2.5*1.2mm

石英晶體振蕩器具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品.滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-29952551

LH-1

Suntsu晶振,進(jìn)口壓控振蕩器,STC32C溫補(bǔ)晶振.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線(xiàn)通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.

在2008年,我們將目光投向了精確時(shí)間模塊,并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO.其中之一,打破了工業(yè)界的第一個(gè)“板上安裝的單位”.在接下來(lái)的三年中,我們的產(chǎn)品線(xiàn)迅速增長(zhǎng).我們從專(zhuān)注于超小型晶體和VC-TCXO石英晶振開(kāi)始,到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO.2007年,我們進(jìn)一步擴(kuò)展了我們的產(chǎn)品線(xiàn),包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO,以滿(mǎn)足基站和軍事通信設(shè)備應(yīng)用等需要晶體的最高頻率穩(wěn)定性的需求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的SMD晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

LH-2

SUNTSU晶振	STC32C晶振
輸出類(lèi)型	CMOS
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+3.135V~+3.465V
頻率范圍	6.00MHz~40.00MHz
頻率穩(wěn)定度	±5ppm~±12ppm
工作溫度	-40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間	5 ms Max
相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫）	1個(gè)PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

LH-3

STC32C 3225 TCXO VCTCXO

LH-4

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口3225晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體振蕩器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來(lái)使用.

(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.

操作

請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用TCXO晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.

LH-5

SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.

過(guò)去SUNTSU進(jìn)口晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

SUNTSU晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.

美國(guó)SUNTSU美國(guó)進(jìn)口晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).