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大河晶振,貼片晶振,FCXO-75LV晶振

頻率：50MHz

尺寸：7.0*5.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

LH-1

大河晶振,貼片晶振,FCXO-75HC晶振，貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

LH-2

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	50MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://m.cnlifecy.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

LH-3

FCXO75LV_7_5 OSC

LH-4

如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。大河晶振,貼片晶振,FCXO-75LV晶振

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