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EPSON晶振,FA2016AS晶振,無源晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3

EPSON晶振,FA2016AS晶振,無源晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3

頻率:26~54MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小尺寸的貼片石英晶振,目前生產上采用了高技術的封裝模式,“FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3”光刻石英晶片技術,并且通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶片的邊緣效應不能去除,而晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定。
EPSON晶振,FA2016AN晶振,超小型貼片無源晶振

EPSON晶振,FA2016AN晶振,超小型貼片無源晶振

頻率:24~54MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小尺寸的貼片石英晶振,目前生產上采用了高技術的封裝模式,光刻石英晶片技術,并且通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶片的邊緣效應不能去除,而晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定。
EPSON晶振,FA2016AA晶振,車載級石英晶振

EPSON晶振,FA2016AA晶振,車載級石英晶振

頻率:16~54MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小尺寸的貼片石英晶振,目前生產上采用了高技術的封裝模式,光刻石英晶片技術,并且通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶片的邊緣效應不能去除,而晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定。
EPSON晶振,FA-128S晶振,貼片石英晶振,FA-128S 19.2000MF12Y-AG3

EPSON晶振,FA-128S晶振,貼片石英晶振,FA-128S 19.2000MF12Y-AG3

頻率:16~54MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小型貼片石英晶振主要采用了,“FA-128S 19.2000MF12Y-AG3”先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良。
EPSON晶振,FA-128晶振,無源晶振,FA-128 40.0000MF10Z-AC3

EPSON晶振,FA-128晶振,無源晶振,FA-128 40.0000MF10Z-AC3

頻率:16~54MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,“FA-128 40.0000MF10Z-AC3”是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良。
KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器

KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器

頻率:19.2~60MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

VCXO是指這款晶體產品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調整頻率,使產品永遠控制在一定的頻率范圍,應用:SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用, VCXO,壓控晶體應用:調制解調器,ADSL網絡控制器,無線基站,程控交換設備智能手機,筆記本晶振等

KDS晶振,DSV211AV晶振,VCXO晶體振蕩器

KDS晶振,DSV211AV晶振,VCXO晶體振蕩器

頻率:19.2~80MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

VCXO是指這款晶體產品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調整頻率,使產品永遠控制在一定的頻率范圍,應用:SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用, VCXO,壓控晶體應用:調制解調器,ADSL網絡控制器,無線基站,程控交換設備智能手機,筆記本晶振等

KDS晶振,DSA211SCM晶振,VC-TCXO振蕩器

KDS晶振,DSA211SCM晶振,VC-TCXO振蕩器

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

溫補晶振(TCXO),產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

KDS晶振,DSG211STA晶振,進口貼片晶振

KDS晶振,DSG211STA晶振,進口貼片晶振

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

溫補晶振(TCXO),產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SLB晶振,溫度補償晶振

KDS晶振,DSB211SLB晶振,溫度補償晶振

頻率:12.288~40M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

CTS晶振,2016貼片晶振,402晶振,402F2401XIAR晶振

CTS晶振,2016貼片晶振,402晶振,402F2401XIAR晶振

頻率:16MHZ~60MH...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
  晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,溫補晶體振蕩器

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,溫補晶體振蕩器

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SCM晶振,溫補振蕩器

KDS晶振,DSB211SCM晶振,溫補振蕩器

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016貼片有源晶振

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO211AR晶振,貼片型石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO211AR晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.4~80MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

頻率:1.5625~100...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

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