GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm，是2016晶振，頻率是20.000MHZ，日本進(jìn)口晶振，支持低電壓，低相位噪聲，單封裝結(jié)構(gòu)，用途為手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)無線電通信等，符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應(yīng)用：智能手機(jī)晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應(yīng)用等。日本KDS晶振，大真空有源振蕩器，有源貼片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，壓控溫補(bǔ)晶振，GPS導(dǎo)航晶振，大真空2016晶振。
株式會(huì)社-大真空（簡(jiǎn)稱KDS,即商標(biāo)）是全球領(lǐng)先的晶振制造商之一，成立于1959年，已有51年歷史。ISO9001、ISO14001、ISO/16949等國(guó)際體系認(rèn)證是KDS品質(zhì)和信譽(yù)的保證。KDS晶振主要生產(chǎn)溫補(bǔ)晶振（TCXO）、恒溫晶振（OCXO）、壓控晶振（VCXO）、時(shí)鐘晶振（SPXO）、晶體諧振器（Crystal Resonators）、晶體濾波器（Crystal Filters）等產(chǎn)品；其產(chǎn)品廣泛用于手機(jī)、對(duì)講機(jī)、GPS/北斗定位儀、汽車電子系統(tǒng)、倒車?yán)走_(dá)、小型基站、LTE、RFID、激光測(cè)距儀、筆記本、平板電腦、數(shù)字集群通信系統(tǒng)、儀器儀表等領(lǐng)域。
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
| 類型 | DSA211SDN （VC-TCXO） | |||
| 頻率范圍 | 12.288 至 52MHz | |||
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz | |||
| 電源電壓范圍 | +1.68 至 +3.5V | |||
| 電源電壓 （VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V | |||
| 電流消耗 | 最大 +1.5mA （f≦26MHz）/最大 +2.0mA （26<f≦52MHz） | |||
| 輸出電平 | 最小 0.8Vp-p （f≦52MHz） （削波正弦波/直流耦合） | |||
| 輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF | |||
| 頻率穩(wěn)定性 | 寬容 | ±1.5×10-6以下（2次回流焊后） | ||
| 與溫度 | ±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-30 至 +85°C | |||
| ±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-40 至 +85°C（可選） | ||||
| 與電源電壓 | 最大 ±0.2×10-6（VCC±5%） | |||
| 與負(fù)載變化 | 最大 ±0.2×10-6（10kΩ//10pF±10%） | |||
| vs. 衰老 | ±1.0×10-6最大值/年 | |||
| 頻率控制 | 控制靈敏度 | ±3.0×10-6至 ±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧ +2.6V | ||
| ±3.0×10-6 至±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V | ||||
| 響應(yīng)斜率 | 陽性 | |||
| 啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms | |||
| 相位噪聲 | [f≦26MHz] | [26MHz<f≦40MHz] | [40MHz<f≦52MHz] | |
| 偏移 100Hz | -115dBc/Hz | -110dBc/Hz | -105dBc/Hz | |
| 偏移 1kHz | -130dBc/Hz | -130dBc/Hz | -125dBc/Hz | |
| 偏移 10kHz 偏移 100kHz | -150dBc/Hz | -150dBc/Hz | -145dBc/Hz | |
| -155dBc/Hz | -155dBc/Hz | -150dBc/Hz | ||
| 包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 （Φ180） | |||
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
所有晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。
KDS晶振,DSA211SCM晶振,VC-TCXO振蕩器
KDS晶振,DSA221SJ晶振,有源晶體振蕩器
EPSON晶振,FA-128晶振,無源晶振,FA-128 40.0000MF10Z-AC3
EPSON晶振,FA2016AN晶振,超小型貼片無源晶振
EPSON晶振,FA2016AS晶振,無源晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3
EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振
Rakon晶振,RSX-11晶振,石英晶體諧振器
低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA
LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振
