用于振蕩器優(yōu)化的多維分段多項式陣列補(bǔ)償M-SAC技術(shù)

多維分段陣列補(bǔ)償(M-SAC)技術(shù)是改善振蕩器環(huán)境性能的平臺.M-SAC技術(shù)的環(huán)保方法補(bǔ)償可以集成到分立振蕩器,定制ASIC或系統(tǒng)級硬件中.技術(shù)進(jìn)步通過為用戶提供基本上優(yōu)越的曲線擬合工具,石英晶體振蕩器補(bǔ)償?shù)默F(xiàn)有技術(shù)水平.與其他不同當(dāng)代擬合方法,用戶可以定義最大誤差限制,M-SAC方法將找到解決方案符合這個標(biāo)準(zhǔn).這適用于一維誤差,例如頻率與溫度或多維誤差,例如調(diào)整效果(頻率與控制電壓與溫度的關(guān)系).使用M-SAC補(bǔ)償工具,可以擬合數(shù)據(jù)降到噪音水平.

什么是M-SAC?傳統(tǒng)的振蕩器補(bǔ)償方案利用整個數(shù)據(jù)集的單多項式擬合.這種方法幾十年來,從熱敏電阻網(wǎng)絡(luò)到現(xiàn)代的五階多項式ASIC都有所改進(jìn).這些方法最終受到限制,因為ASIC中的晶振和函數(shù)發(fā)生器都不會產(chǎn)生"完美的"多項式.M-SAC技術(shù)通過將解決方案分解為適合a的區(qū)段,提供卓越的曲線擬合更好的程度.該算法分析輸入的最大允許殘差和斜率公差用戶并計算由滿足用戶標(biāo)準(zhǔn)的段組成的解決方案.為此,M-SAC算法評估一組可能的函數(shù),并為解密度選擇最佳函數(shù).下面的圖1,圖2,圖3說明了M-SAC技術(shù)將為您的溫度補(bǔ)償晶振提供的優(yōu)勢架構(gòu)和技術(shù)清晰,為最先進(jìn)的技術(shù)提供了實質(zhì)性的改進(jìn)目前正在整個行業(yè)中使用.

ERD的M-SAC知識產(chǎn)權(quán)是大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境的理想選擇.由于分段性質(zhì),數(shù)據(jù)可以適合與測試運(yùn)行同時進(jìn)行,以便在運(yùn)行結(jié)束時需要最小數(shù)量的運(yùn)算,從而最大化吞吐量.對于一維數(shù)據(jù),解決方案時間僅為幾秒,對于多維數(shù)據(jù),解決時間僅為30秒.如果使用伴隨ERD測試硬件,通過在所有通道上同時提供數(shù)據(jù)采集來優(yōu)化測試和解決方案時間并采用專有方法減少石英振蕩器溫度測試中常見的錯誤.

圖1顯示了COTS2.0mm×1.6mmTCXO的頻率-溫度性能和配合用單個五階多項式實現(xiàn).TCXO晶振的固有性能約為967ppb峰-峰值.這基本上是市場上大多數(shù)TCXO ASIC提供的當(dāng)前最先進(jìn)的性能今天.如圖1所示,此擬合的殘余峰峰值誤差約為170ppb.錯誤減少是5.7比1.M-SAC技術(shù)允許用戶定義適合的可接受誤差水平.用戶定義的錯誤50-ppb峰-峰值,M-SAC解析了三段溶液,峰-峰殘留誤差為42ppb.這個合適上表圖2顯示了殘余誤差,只有21個存儲元件.

該技術(shù)實現(xiàn)了改進(jìn)23比1超過了固有的表現(xiàn).M-SAC的強(qiáng)大之處在于,只要用戶不受數(shù)據(jù)存儲的影響,數(shù)據(jù)就可以適應(yīng)噪聲限制.圖3顯示了相同的數(shù)據(jù)集,其中用戶定義的誤差為2ppb峰-峰值.解決方案是在指定限制內(nèi)但使用25個段,需要132個存儲元素.這導(dǎo)致了理論上的結(jié)果改善483比1.M-SAC技術(shù)是唯一允許用戶定義剩余誤差限制的OSC晶振擬合模式結(jié)果.高級工具還允許用戶定義斜率限制,從而為用戶提供更多控制和精度在適合和最終的解決方案.

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